首页 试题详情
单选题

抑制性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致( )

ANa+

BNa+

CK+

DK+

ECa2+

正确答案:A (备注:此答案有误)

相似试题

  • 单选题

    突触抑制形成由于

    答案解析

  • 多选题

    抑制突触电位

    答案解析

  • 判断题

    抑制突触电位由于突触出现了去极化。()

    答案解析

  • 单选题

    抑制突触电位形成由于突触下列中的哪些离子通透增加所致( )

    答案解析

  • 单选题

    兴奋性突触电位形成主要由于

    答案解析

热门题库